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簡(jiǎn)要描述：摻釹光纖：我們提供具有一些獨(dú)到特性的全系列釹纖維。六藍(lán)光子學(xué)釹鋁硅酸鹽雙包層光纖已經(jīng)被開發(fā)出來，通過精確控制主體成分來大化光纖效率。與標(biāo)準(zhǔn)釹光纖相比，通過仔細(xì)的光纖設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少了1.06微米的發(fā)射。我們的雙包層光纖定期測(cè)試各種參數(shù)，如光暗化和環(huán)境行為。還提出了一種單包層光纖，它將是構(gòu)建10xx nm范圍內(nèi)的種子光源的理想選擇。
產(chǎn)品品牌：其他品牌廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2024-06-11訪 問 量：357詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
適用于890-1100 nm之間的光纖激光器
摻釹光纖：我們提供具有一些獨(dú)到特性的全系列釹纖維。
六藍(lán)光子學(xué)釹鋁硅酸鹽雙包層光纖已經(jīng)被開發(fā)出來，通過精確控制主體成分來大化光纖效率。與標(biāo)準(zhǔn)釹光纖相比，通過仔細(xì)的光纖設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少了1.06微米的發(fā)射。
我們的雙包層光纖定期測(cè)試各種參數(shù)，如光暗化和環(huán)境行為。還提出了一種單包層光纖，它將是構(gòu)建10xx nm范圍內(nèi)的種子光源的理想選擇。
關(guān)鍵特征
l主機(jī)組成經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)高能效和低群集
l低熔接損耗
l高數(shù)值孔徑、高性能低折射率包層
l低本底損失
l工作波長下的低宏彎損耗
應(yīng)用覆蓋
l0.9至1.064μm光纖激光器
l10xx nm處的播種源
摻釹光纖技術(shù)數(shù)據(jù)
典型折射率分布
LP01截止
單包層光纖主要規(guī)格
產(chǎn)品 名稱 | 光纖纖芯直徑(μm) | 纖芯數(shù)值孔徑 | 纖芯吸收@ 804 nm (dB/m) | 包層直徑(μm) | 涂層直徑(μm) | 模場(chǎng)直徑 @920 nm (μm) |
IXF-NDF-3-125-HD | 3 +/- 0.5 | 0.26 | 150 +/- 20 | 125 +/- 2 | 245 +/- 15 | 3 +/- 0.5 |
雙包層光纖主要規(guī)格
產(chǎn)品 名稱 | 光纖纖芯直徑(μm) | 纖芯數(shù)值孔徑 | 纖芯吸收@ 800 nm (dB/m) | 包層 直徑 (μm) | 涂層 直徑 (μm) | 多模 包層 形狀 |
IXF-2CF-ND-O-5-125-D | 4 +/- 0.5 | 0.14 | > 0.15 | 125 +/- 3 | 245+/-15 | Octagonal |
保偏光纖： | ||||||
IXF-2CF-ND-PM-5-80-W* | 5 +/- 0.5 | 0.16 | > 0.35 | 80 +/- 3 | 170 +/- 15 | Panda |
IXF-2CF-ND-PM-20-80-V2 | 20 +/- 2 | 0.065 | 2.3 | 80 +/- 3 | 170 +/- 10 | Panda |
常用規(guī)格:
毫米背景（dB/km）：<50
包層NA：≥0.46
纖芯-包層偏移（μm）：<1.0
驗(yàn)證試驗(yàn)等級(jí)（KPSI）：100
LP01截止波長（μm）：1
工作波長（nm）：900-950
光纖匹配合束器主要規(guī)格
產(chǎn)品名稱 | MM端口數(shù)量 | 信號(hào)泵傳輸(%) | 信號(hào)傳輸(%) | PER (dB) | 最大泵浦信號(hào)功率(W) |
IXS-COMB-PM-2+1-1-4-80-P* | 2 | 75 | 93 | 19 | 15 |
IXS-COMB-PM-2-1-1-20-80-P* | 2 | 75 | >95 | TBC | 20 |
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